氣相化學沉積技術(Chemical Vapor Deposition簡稱CVD):
是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學表面處理技術。
半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓(基底)暴露在一種或多種不同的前趨物下,在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品,但大多會隨著氣流被帶走,而不會留在反應腔(reaction chamber)中。
材料開發的廣泛性
微製程大都使用CVD技術來沉積不同形式的材料,包括單晶、多晶、非晶及磊晶材料。這些材料有矽、碳纖維、碳奈米纖維、奈米線、奈米碳管、SiO2、矽鍺、鎢、矽碳、氮化矽、氮氧化矽及各種不同的高介電係數等材料。
氣相化學沉積技術在材料開發的貢獻:
提高材料的性能:沉積出高品質、高純度的薄膜和塗層,從而提高材料的性能,如硬度、耐磨性、耐腐蝕性、導電性等,在各種應用領域得到更廣泛的應用。
擴展材料的應用範圍:在陶瓷表面沉積金屬或碳纖維薄膜,可以使其具有更好的導電性和耐磨性,於電子、航空、汽車等領域得到廣泛應用。
優化製程和節能降耗:通過CVD在玻璃表面上沉積出特殊的薄膜,可以降低玻璃窗的能量消耗,達到節能降耗的效果。
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專為氣相化學沉積技術(CVD)開發設計的 新世代獨立溫區梯度管型爐 TG Series Range:1200℃
TG3 12/60/600 -三加熱區型
TG2 12/125/425 -雙加熱區型
■各溫區分別獨立控制器搭配溫度探針精密控制 ■具三區及雙區加熱選項 ■加熱區總長度: 600mm(三區型) / 425mm(雙區型)
精準控溫三區梯度爐在氣相化學沉積技術(CVD)中有廣泛的應用,特別是在 微電子、光學、能源和材料科學等領域: 高度的溫度均勻性:材料的溫度需要非常均勻,以確保沉積的薄膜或塗層具有一致的厚度和質量。Carbolite-Gero新世代管狀高溫爐採用了先進的加熱元件和熱場設計,實現溫度均勻性可被嚴格驗證,使得沉積出的薄膜或塗層質量穩定一致。
廣泛應用於:
半導體材料開發
金屬材料
石墨及先端材料開發
陶瓷材料
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